NCP51705: SiC MOSFETドライバ、ローサイド、シングル6 A高速
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NCP51705ドライバは、プライマリ・ドライブSiC MOSFETトランジスタに対して設計されています。伝導損失を可能な限り低くするため、最大許容ゲート電圧をSiC MOSFETデバイスへ供給できます。ターンオン/ターンオフ時に高ピーク電流を供給するため、スイッチング損失も最小化されます。信頼性、dV/dt耐性を向上し、さらにターンオフを加速するため、NCP51705はオンボード・チャージ・ポンプを活用して、ユーザーが選択可能な負電圧レールを生成できます。また、絶縁型アプリケーションに向けて、NCP51705の外部アクセス可能な5 Vレールはデジタル・オプト・アイソレータや高速オプト・アイソレータの2次側へ電力を供給できます。
| 特長 | 利点 | ||||
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| アプリケーション | 最終製品 | |
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技術資料 & デザイン・リソース
| チュートリアル (2) | パッケージ図 (1) |
| ホワイト・ペーパ (2) | ビデオ (3) |
| データシート (1) | 評価ボード文書 (14) |
評価/開発ツール情報
| 製品 | 状態 | Compliance | 簡単な説明 | アクション | |
|---|---|---|---|---|---|
| NCP51705SMDGEVB | Active |
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Application daughter-card for NCP51705 SiC MOSFET driver | ||
| SEC-6D6KW-OBC-SIC-GEVB | Active |
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6.6kW OBC SiC model | ||
| SECO-GDBB-GEVB | Active |
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Gate drivers plug-and-play ecosystem |
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Availability & Samples
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Specifications
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Interactive Block Diagram
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Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Power Switch
Number of Outputs
Topology
Isolation Type
Vin Max (V)
VCC Max (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Drive Source Current Typ (A)
Drive Sink Current Typ (A)
Turn On Prop. Delay Typ (ns)
Turn Off Prop. Delay Typ (ns)
Delay Matching
Package Type
NCP51705MNTXG
$1.6133
Pb
A
H
P
Active
SiC MOSFET
1
Single
Non-Isolated
N/A
28
8
8
6
6
25
25
WQFN-24
Case Outline
510BE
Application
Diagram - Block
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