NCP51705: SiC MOSFETドライバ、ローサイド、シングル6 A高速
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NCP51705ドライバは、プライマリ・ドライブSiC MOSFETトランジスタに対して設計されています。伝導損失を可能な限り低くするため、最大許容ゲート電圧をSiC MOSFETデバイスへ供給できます。ターンオン/ターンオフ時に高ピーク電流を供給するため、スイッチング損失も最小化されます。信頼性、dV/dt耐性を向上し、さらにターンオフを加速するため、NCP51705はオンボード・チャージ・ポンプを活用して、ユーザーが選択可能な負電圧レールを生成できます。また、絶縁型アプリケーションに向けて、NCP51705の外部アクセス可能な5 Vレールはデジタル・オプト・アイソレータや高速オプト・アイソレータの2次側へ電力を供給できます。
| 特長 | 利点 | ||||
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| アプリケーション | 最終製品 | |
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技術資料 & デザイン・リソース
| チュートリアル (2) | パッケージ図 (1) |
| ホワイト・ペーパ (2) | ビデオ (2) |
| データシート (1) | 評価ボード文書 (14) |
評価/開発ツール情報
| 製品 | 状態 | Compliance | 簡単な説明 | アクション | |
|---|---|---|---|---|---|
| NCP51705SMDGEVB | Active |
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Application daughter-card for NCP51705 SiC MOSFET driver | ||
| SEC-6D6KW-OBC-SIC-GEVB | Active |
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6.6kW OBC SiC model | ||
| SECO-GDBB-GEVB | Active |
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Gate drivers plug-and-play ecosystem |
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Availability & Samples
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Specifications
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Interactive Block Diagram
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Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Power Switch
Number of Outputs
Topology
Isolation Type
Vin Max (V)
VCC Max (V)
Drive Source/Sink Typ (mA)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
tp Max (ns)
Package Type
NCP51705MNTXG
$1.6133
Pb
A
H
P
Active
SiC MOSFET
1
Single
Non-Isolated
N/A
28
6000 / 6000
8
8
50
WQFN-24
Case Outline
510BE
Application
Diagram - Block
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