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NCV51705: 車載 SiC MOSFET ドライバ、ローサイド、シングル 6 A 高速

Datasheet: Single 6 A High-Speed, Low-Side SiC MOSFET Driver
Rev. 1 (386kB)
製品概要
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» 製品変更通知
NCV51705 ドライバは、主に SiC MOSFET トランジスタを駆動するよう設計されています。伝導損失を可能な限り低くするため、最大許容ゲート電圧を SiC MOSFET デバイスへ供給できます。ターンオン/ターンオフ時に高ピーク電流を供給するので、スイッチング損失も最小化されます。信頼性、dV/dt 耐性を向上し、さらにターンオフを加速するため、NCV51705はオンボード・チャージ・ポンプを活用して、ユーザが選択可能な負電圧レールを生成できます。また、絶縁型アプリケーションに向けて、NCV51705 の外部アクセス可能な 5 V レールはデジタル・オプト・アイソレータや高速オプト・アイソレータの 2 次側へ電力を供給できます。
特長   利点
     
  • High Peak Output Current with Split Output Stages
 
  • Allow independent Turn−ON/Turn−OFF Adjustment
  • Extended Positive Voltage Rating up to 28 V Max
 
  • Efficient SiC MOSFET Operation during the Conduction Period
  • User−adjustable Built−in Negative Charge Pump (-3.3 V to -8 V)
 
  • Fast Turn−off and Robust dV/dt Immunity
  • Accessible 5 V Reference / Bias Rail
 
  • Minimize complexity of bias supply in isolated gate drive applications
  • Adjustable Under−Voltage Lockout
 
  • Sufficient VGS amplitude to match SiC best performance
  • Fast Desaturation Function
 
  • Self protection of the design
  • QFN24 Package 4 x 4 mm
 
  • Small & Low Parasitic Inductance package
  • AEC-Qualifiied
 
  • For SiC high power modules in HEV/EV
アプリケーション   最終製品
  • High Perfomance Inverters
  • High Power PFC
  • High Power SiC Modules
 
  • On Board Chargers
  • Traction Inverters
  • High Power DC/DC converters
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
SEC-3PH-11-OBC-EVB Active
Pb-free
Three-phase On Board Charger (OBC) PFC-LLC platform
SECO-GDBB-GEVB Active
Pb-free
Gate drivers plug-and-play ecosystem
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
NCV51705MNTWG Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
NCV51705, Automotive Qualified 6A SiC Driver QFNW-24 484AE 1 260 Tape and Reel 3000 $1.6666
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Power Switch
Number of Outputs
Topology
Isolation Type
Vin Max (V)
VCC Max (V)
Drive Source/Sink Typ (mA)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
tp Max (ns)
Package Type
NCV51705MNTWG  
 $1.6666 
Pb
A
H
P
 Active   
SiC MOSFET
1
Single
Non-Isolated
QFNW-24
Case Outline
484AE   
Application
Diagram - Block
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NCP51561 Gate Driver Family
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