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NSS20201L: 低 VCE(sat) トランジスタ、NPN、20 V、4.0 A

Datasheet: Low VCE(sat) Transistor, NPN, 20 V, 4.0 A, SOT-23 Package
Rev. 7 (129kB)
製品概要
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» 製品変更通知
低 VCE(sat) バイポーラ・トランジスタは、超低飽和電圧 VCE(sat) および高電流ゲイン機能を備えた小型の表面実装デバイスです。これらは、手頃な価格の効率的なエネルギー制御が重要な、低電圧、高速スイッチング・アプリケーション向けに設計されています。
特長   利点
     
  • High Current, Low VCE(sat), ESD Robust, High Current Gain, High Cut Off Frequency, Low Profile Package, Linear Gain (Beta)
 
  • Improved Circuit Efficiency, Decreased Battery Charge Time, Reduce component count, High Frequency Switching, Smaller Portable Product, No distortion
  • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable
   
アプリケーション
  • Load Switching, Battery Charging, External Pass Transistor, DC/DC Converter, Complimentary Driver, Current Extention & Low Drop Out Regulation, Cathode Florescent Lamp drive, Peripheral Driver - LEDs, Motors, Relays
Availability & Samples
Specifications
Case Outline
Interactive Block Diagram
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
NSS20201LT1G Active
Pb-free
Halide free
NSS20201L SOT-23-3 318-08 1 260 Tape and Reel 3000 $0.1485
NSV20201LT1G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
NSS20201L SOT-23-3 318-08 1 260 Tape and Reel 3000 $0.1481
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
PandS   (2020-09-14 00:00) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
ON Semiconductor   (2020-09-02 00:00) : 9,000

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Polarity
Type
VCE(sat) Max (V)
IC Cont. (A)
VCEO Min (V)
VCBO (V)
VEBO (V)
VBE(sat) (V)
VBE(on) (V)
hFE Min
hFE Max
fT Min (MHz)
PTM Max (W)
Package Type
NSS20201LT1G  
 $0.1485 
Pb
H
 Active   
NPN
Low VCE(sat)
0.05
2
20
20
6
0.9
0.9
200
-
150
0.54
SOT-23-3
NSV20201LT1G  
 $0.1481 
Pb
A
H
P
 Active   
NPN
Low VCE(sat)
0.05
2
20
20
6
0.9
0.9
200
-
150
0.54
SOT-23-3
Case Outline
318-08   
パッケージ
NSS20201L: 低 VCE(sat) トランジスタ、NPN、20 V、4.0 A
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