FDMQ8205: GreenBridgeTM 2 シリーズ高効率ブリッジ整流器
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FDMQ8205は、ブリッジアプリケーション向けのGreenBridgeTM2シリーズクワッドMOSFETであるため、入力はデバイスに接続された電源の極性に影響されません。既知のブリッジ整流回路の多くは、一般的なダイオードを使用して構成することができます。従来のダイオードブリッジの電力損失は比較的高く、多くのアプリケーションでは望ましくありません。特に、Power over Ethernet(PoE)Power Device(PD)アプリケーションには、IEEE802.3atで分類されたPower Source Equipment(PSE)から供給される限られた電力で作動する必要があるため、高効率のブリッジが必要です。FDMQ8205は、低rDS(on)デュアルP-ch MOSFETおよびN-ch MOSFETで構成されているため、従来のダイオードブリッジと比較して、電圧降下による電力損失を低減することができます。FDMQ8205により、アプリケーションは利用可能な電力と電圧を最大化し、PoE PDアプリケーションでの熱設計の問題を排除することができます。FDMQ8205 GreenBridgeTM2は、検出と分類の要件、および小さなバックフィード電圧を損なうこともなく、IEEE802.3at PoE規格と互換性があります。
特長 | |
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アプリケーション | 最終製品 | |
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技術資料 & デザイン・リソース
アプリケーション ノート (14) | パッケージ図 (1) |
シミュレーション・モデル (3) | ビデオ (2) |
データシート (1) |
Availability & Samples
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Specifications
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Case Outline |
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FDMQ8205 | Active |
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FDMQ8205 | WDFN-12 | 511CS | 1 | 260 | Tape and Reel | 3000 | $1.7052
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マーケットリードタイム(週) | : | 13 to 16 |
Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
Case Outline
511CS
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