NIS5112: 12 V電子ヒューズ、eFuse
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NIS5112は、内部チャージ・ポンプで駆動されるハイ・サイドNチャネルFETを活用する統合スイッチです。 このスイッチの特長は、電流センシングで高価な低インピーダンスの電流シャントではなく安価なチップ抵抗器の使用を許容するMOSFETです。12 Vシステムで動作するよう設計され、頑強なサーマル保護回路があります。
| 特長 | |
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| アプリケーション |
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技術資料 & デザイン・リソース
| デザインおよび開発ツール (1) | データシート (1) |
| アプリケーション ノート (6) | パッケージ図 (1) |
| シミュレーション・モデル (1) | ビデオ (3) |
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Case Outline |
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| NIS5112D1R2G | Active, Not Rec |
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NIS5112 | SOIC-8 | 751-07 | 3 | 260 | Tape and Reel | 2500 | $1.518 | ||||||||
| NIS5112D2R2G | Active, Not Rec |
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NIS5112 | SOIC-8 | 751-07 | 3 | 260 | Tape and Reel | 2500 | $1.518 | ||||||||
| マーケットリードタイム(週) | : | Contact Factory |
| PandS (2020-09-14 00:00) | : | >1K |
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| PandS (2020-09-14 00:00) | : | >1K |
Application
Diagram - Block
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