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NCP5106: MOSFET/IGBTドライバ、高電圧、ハイ/ロー・サイド

Datasheet: High Voltage, High and Low Side Driver
Rev. 9 (124kB)
製品概要
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» 製品変更通知
NCP5106は高電圧ゲート・ドライバICで、2つのNチャネル・パワーMOSFETまたはIGBTを直接駆動する出力が2つあります。ハーフブリッジ構成バージョンBと、それ以外のハイ・サイド+ロー・サイド構成バージョンAがあります。ブートストラップ技術を利用し、ハイ・サイド電源スイッチの適正な駆動を保証します。NCP5109 = 200V、NCP5106 = 600Vと、2つの入力は独立しています。
特長
 
  • High Voltage Range: Up to 600 V
  • dV/dt Immunity ± 50 V/nsec
  • Gate Drive Supply Range from 10 V to 20 V
  • High and Low Drive Outputs
  • Output Source / Sink Current Capability 250 mA / 500 mA
  • 3.3 V and 5 V Input Logic Compatible
  • Up to Vcc Swing on Input Pins
  • Matched Propagation Delays Between Both Channels
  • Outputs in Phase with the Inputs
  • Independent Logic Inputs to Accommodate All Topologies (Version A)
  • Cross Conduction Protection with 100 ns Internal Fixed Dead Time (Version B )
  • Under Vcc LockOut (UVLO) for Both Channels
  • Pin-to-Pin Compatible with Industry Standards
アプリケーション
  • Half-Bridge Power Converters
  • Any Complementary Drive Converters (Asymmetrical Half-Bridge, Active Clamp) (A version only).
  • Full-Bridge Converters
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
NCP5106BA36WGEVB Active
Pb-free
36 W Ballast Evaluation Board
NCP5106SYNCBUCKGEVB Active
Pb-free
NCP5106SYNCBUCKGEVB: Variable DC Input, Open Loop Synchronous Buck Evaluation Board
Availability & Samples
Specifications
Case Outline
アプリケーション・ダイアグラム
Interactive Block Diagram
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
NCP5106ADR2G Active
Pb-free
Halide free
NCP5106 SOIC-8 751-07 1 260 Tape and Reel 2500 $0.4267
NCP5106AMNTWG Active
Pb-free
Halide free
NCP5106 DFN-10 506DJ 1 260 Tape and Reel 4000 $0.4533
NCP5106APG Obsolete
Pb-free
Halide free
NCP5106 PDIP-8 626-05 1 260 Tube 50  
NCP5106BDR2G Active
Pb-free
Halide free
NCP5106 SOIC-8 751-07 1 260 Tape and Reel 2500 $0.4489
NCP5106BMNTWG Active
Pb-free
Halide free
NCP5106 DFN-10 506DJ 1 260 Tape and Reel 4000 $0.4533
NCP5106BPG Obsolete
Pb-free
Halide free
NCP5106 PDIP-8 626-05 1 260 Tube 50  
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
PandS   (2020-09-14 00:00) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
ON Semiconductor   (2020-09-02 00:00) : 4,000
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
PandS   (2020-09-14 00:00) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
ON Semiconductor   (2020-09-02 00:00) : 8,000
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
PandS   (2020-09-14 00:00) : <100

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Power Switch
Number of Outputs
Topology
Isolation Type
Vin Max (V)
VCC Max (V)
Drive Source/Sink Typ (mA)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
tp Max (ns)
Package Type
NCP5106ADR2G  
 $0.4267 
Pb
H
 Active   
MOSFET / IGBT
2
High-Low
Junction Isolation
600
23
250 / 500
85
35
170
SOIC-8
NCP5106AMNTWG  
 $0.4533 
Pb
H
 Active   
MOSFET / IGBT
2
High-Low
Junction Isolation
600
23
250 / 500
85
35
170
DFN-10
NCP5106BDR2G  
 $0.4489 
Pb
H
 Active   
MOSFET / IGBT
2
High-Low
Junction Isolation
600
23
250 / 500
85
35
170
SOIC-8
NCP5106BMNTWG  
 $0.4533 
Pb
H
 Active   
MOSFET / IGBT
2
High-Low
Junction Isolation
600
23
250 / 500
85
35
170
DFN-10
Case Outline
751-07    626-05    506DJ   
パッケージ
NCP5106: MOSFET/IGBTドライバ、高電圧、ハイ/ロー・サイド
NCP5106: MOSFET/IGBTドライバ、高電圧、ハイ/ロー・サイド
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