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FDV304P: Pチャネル Digital FET -25V、-0.46A、1.1Ω

Datasheet: Digital FET, P-Channel
Rev. 5 (270kB)
製品概要
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このPチャネル拡張モード電界効果トランジスタは独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特に低ゲート駆動j条件でオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、特にノートPCや携帯電話などのバッテリー電源アプリケーションでの用途向けに設計されています。このデバイスは、2.5ボルトという低いゲート駆動電圧でも優れたオン抵抗を発揮します。
特長
 
  • -25 V、-0.46 A連続、-1.5 Aピーク。 RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS = -4.5 V、RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。
  • 非常に低いレベルのゲートドライブ要件によって、3V回路で直接操作が可能。 VGS(th) <1.5V。
  • ESD堅牢性のためのゲートソースツェナー >6kV 人体モデル
  • コンパクトな業界標準SOT-23表面実装型パッケージ
アプリケーション
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評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
STR-NCP164A-WDFN6-GEVB Active
Pb-free
Strata Enabled NCP164A Adjustable LDO, WDFN6 Package Evaluation Board
STR-NCV8164A-DFNW8-GEVB Active
Pb-free
Strata Enabled NCV8164A Adjustable LDO, DFNW8 Package Evaluation Board
STR-NCV8164A-TSOP5-GEVB Active
Pb-free
Strata Enabled NCV8164A Adjustable LDO, TSOP5 Package Evaluation Board
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FDV304P Active
Pb-free
Halide free
FDV304P SOT-23-3 318-08 1 260 Tape and Reel 3000 $0.0532
FDV304P-F169 Last Shipments
Pb-free
Halide free
FDV304P SOT-23-3 318-08 1 260 Tape and Reel 3000  
マーケットリードタイム(週) : 8 to 12
Avnet   (2020-08-19 00:00) : >100K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDV304P  
 $0.0532 
Pb
H
 Active   
P-Channel
Single
-25
-8
-1.5
-0.46
0.35
1500
1100
-
-
1.1
63
SOT-23-3
Case Outline
318-08   
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