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NTHD4102P: デュアル P チャネル ChipFET™ パワー MOSFET -20V -4.1A 80mΩ

Datasheet: MOSFET — Dual, P-Channel, ChipFET -20 V, -4.1 A
Rev. 6 (119kB)
製品概要
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パワー MOSFET -20 V、-4.1 A デュアル P チャネル ChipFET™
特長
 
  • Offers an Ultra Low RDS(ON) Solution in the ChipFET™ Package
  • Miniature ChipFet Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6
  • Low Profile (<1.1mm) Allows it to Fit Easily into Extremely Thin Environments such as Portable Electronics
  • Simplifies Circuit Designs since Additional Boost Circuits for Gate Voltages are not Required
  • Operated at Standard Logic Level Gate Drive, Facilitating Future Migration to Lower Levels using the same Basic Topology
アプリケーション   最終製品
  • Optimized for Battery and Load Management Applications in Portable Equipment
  • Charge Control in Battery Chargers
  • Buck and Boost Converters
 
  • MP3 Players
  • Cell Phones
  • PDAs
Availability & Samples
Specifications
Case Outline
Interactive Block Diagram
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
NTHD4102PT1G Active
Pb-free
Halide free
NTHD4102P ChipFET-8 1206A-03 1 260 Tape and Reel 3000 $0.1925
NTHD4102PT3G Obsolete 
Pb-free
Halide free
NTHD4102P ChipFET-8 1206A-03 1 260 Tape and Reel 10000  
NTHD4102PT1 Obsolete 
NTHD4102P ChipFET-8 1206A-03 1 235 Tape and Reel 3000  
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
FutureElectronics   (2020-08-19 00:00) : >1K
PandS   (2020-09-14 00:00) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
NTHD4102PT1G  
 $0.1925 
Pb
H
 Active   
P-Channel
Dual
-20
8
1.5
2.9
1.1
Q1=Q2=84
Q1=Q2=64
-
2.6
7.6
750
ChipFET-8
Case Outline
1206A-03   
パッケージ
NTHD4102P: デュアル P チャネル ChipFET™ パワー MOSFET -20V -4.1A 80mΩ
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