NIS5021: 電子ヒューズ（eFuse）、12 V、14 mΩ、12 Amp
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NIS5021シリーズのeFuseは費用効率が高くリセット可能なヒューズで、壊滅的障害とシャットダウン障害のいずれに対しても、ハード・ドライブなどの回路の信頼性を大幅に強化します。 センシティブな回路を損傷する入力過電圧から負荷デバイスをバッファ化するよう設計されています。内蔵の過電圧クランプ回路は、過渡時の出力電圧を制限しますが、ユニットのシャットダウンはしないため、負荷デバイスの動作は継続できます。
| 特長 | 利点 | ||||
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| アプリケーション | 最終製品 | |
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技術資料 & デザイン・リソース
| デザインおよび開発ツール (1) | パッケージ図 (1) |
| アプリケーション ノート (4) | ビデオ (11) |
| データシート (1) | 評価ボード文書 (5) |
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Availability & Samples
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Specifications
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Interactive Block Diagram
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Case Outline |
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| NIS5021MT1TXG | Active |
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NIS5021, Latching | WDFN-10 | 511DS | 1 | 260 | Tape and Reel | 3000 | $1.0253 | ||||||||
| NIS5021MT2TXG | Active |
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NIS5021, Auto-retry | WDFN-10 | 511DS | 1 | 260 | Tape and Reel | 3000 | $1.0253 | ||||||||
| マーケットリードタイム(週) | : | 17 to 20 |
| Avnet (2020-08-19 00:00) | : | >1K |
| マーケットリードタイム(週) | : | 13 to 16 |
| Avnet (2020-08-19 00:00) | : | >1K |
| ON Semiconductor (2020-09-02 00:00) | : | 60,000 |
Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Type
VI Max (V)
rDS(on) Max (mΩ)
TSD Typ (°C)
Thyst Typ (°C)
Package Type
Case Outline
511DS
Application
Diagram - Block
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