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FFSB3065B-F085: 車載用炭化ケイ素 (SiC) ショットキー・ダイオード、650 V

Datasheet: Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 30 A
Rev. 3 (176kB)
製品概要
»材料組成を表示
» 製品変更通知
炭化ケイ素 (SiC) ショットキー・ダイオードは、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現する新しい技術を採用しています。逆回復電流がなく、温度から独立したスイッチング特性で、優れた熱性能の炭化ケイ素は、次世代のパワー・セミコンダクターとなります。システムの利点として、最高の効率、高速動作周波数、電力密度の増加、EMI の削減、システムのサイズの縮小とコストの削減があります。
特長   利点
     
  • Max Junction Temperature 175°C
 
  • PPAP capable
  • Avalanche Rated 144 mJ
   
  • High Surge Current Capacity
   
  • Positive Temperature Coefficient
   
  • Ease of Paralleling
   
  • No Reverse Recovery / No Forward Recovery
   
  • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
   
アプリケーション   最終製品
  • Automotive HEV−EV Onboard Chargers
  • Automotive HEV−EV DC−DC Converters
 
  • PHEV-EV Onboard charger and DC -DC
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
SEC-3PH-11-OBC-EVB Active
Pb-free
Three-phase On Board Charger (OBC) PFC-LLC platform
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FFSB3065B-F085 Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
FFSB3065B-F085, Automotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, 650 V D2PAK2 (TO-263-2L) 418BK 1 260 Tape and Reel 800 $5.0284
マーケットリードタイム(週) : 13 to 16

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Device Grade
Configuration
VRRM (V)
IF(ave) (A)
VF (Max)
IFSM (A)
IR (Max) (µA)
Package Type
FFSB3065B-F085  
 $5.0284 
Pb
A
H
P
 Active   
Automotive
with Schottky Diode
650
30
1.7
120
120
D2PAK2 (TO-263-2L)
Case Outline
418BK   
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